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扩散硅压力变送器厂家应用

产品时间:2019-05-30

简要描述:

扩散硅压力变送器厂家应用硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。

扩散硅压力变送器厂家应用定义

     硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现极大变化,这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一切硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件,使之输出一个标准信号,就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。

扩散硅压力变送器的工作原理 

   被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上,使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。

扩散硅压力变送器厂家应用的技术指标
   精度等级:0。25级基本误差±0。25%
   非线性误差:0.3级≤±0.3%FS
   滞后误差: ≤±0。3%FS
输出特性:
①0-10mA输出,负载电阻0-1.5KΩ
②4-20mA输出,负载电阻0-600Ω
③恒流输出内阻大于10MΩ
④二线制4-20mA输出:标准供电DC24V
防爆标志:(RPT-Ⅲ):Exia Ⅱ CT4-6

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